西安交通大学模拟电子技术基础考试题

西安交通大学模拟电子技术基础考试题

附录1 西安交通大学模拟电子技术基础考试题(2001年12月)

一、填空题(每空1分,共15分):请在空格中填上合适的词语,将题中的论述补充完整。

1.PN结的主要的特性是_____

2.多级放大电路的耦合方式有____耦合、________ 耦合和变压器耦合三种。 3.硅稳压管常使其工作在____ 状态,用来稳定直流电压。

4.N沟道结型场效应管要求输入回路的PN结_______偏置,且管子工作在放大区的条件是uDS____ 。

5.增强型场效应管当uDS_________ , uGS_____ 时,有电流流过沟道。 6.场效应管组成_________ 、____ 和共漏三种基本放大电路。

7.如果电路需要稳定输出电流,且增大输入电阻,可以选择引入____反馈。 8.反馈放大电路发生自激振荡的条件是________ 。

9.图1所示的电路是 ____滤波器。 10.试判断图2所示电路能否振荡。 (a)图 _________,(b)图 ____。

u

i

R

西安交通大学模拟电子技术基础考试题

R

1

2

uo

RC

图1

西安交通大学模拟电子技术基础考试题

西安交通大学模拟电子技术基础考试题

C1

L

(a) (b)

图2

二、(20分)电路如图3所示,设C1 C2 C3 10 F,C4 47 F,CL 20pF ,

1 2 100,rbb 300 。试求:

1.各级电路的静态工作点(包括ICQ1和UCEQ1,ICQ2和UCEQ2); 2.画出电路的微变等效电路;

U /U ; 3.电路总的电压增益Auoi

4.电路的输入电阻Ri和输出电阻Ro;

277

你可能喜欢

  • 模拟电子技术基础期末考试
  • 数字电子技术基础期末考试
  • 模电试题及答案
  • 模拟电子技术试卷答案
  • 武汉理工大学试卷
  • 模拟电子技术基础课件

西安交通大学模拟电子技术基础考试题相关文档

最新文档

返回顶部