半导体HgS在高压下的电子结构和能带结构的研究

分类号:O471.5 U D C:D10621-407-(2009)2670-0 密 级:公 开 编 号:2005032017

成 都 信 息 工 程 学 院

学 位 论 文

半导体HgS在高压下的电子结构和能带结构的研究

论文作者姓名:

申请学位专业:

申请学位类别: 王鑫 光信息科学与技术 理学学士

指导教师姓名(职称): 周绍元(高级实验师)

论文提交日期: 2009年06月01日

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