电阻电容的选择

1、电阻电容的封装形式如何选择，有没有什么原则？比如，同样是 104 的电容有 0603、0805 的封装，同样是 10uF 电容有 3216、0805、3528 等封装形式，选择哪种封装形式比较合适呢？

2、有时候两个芯片的引脚(如芯片A 的引脚 1,芯片B 的引脚 2)可以直接相连，有时候引脚之间(如A-1 和 B-2)之间却要加上一片电阻，如 22欧，请问这是为什么？这个电阻有什么作用？电阻阻值如何选择？

3、藕合电容如何布置？有什么原则？是不是每个电源引脚布置一片 0.1μF？有时候看到 0.1μF 和 10μF 联合起来使用，为什么？

4、所谓 5V TTL 器件、5V CMOS 器件是指什么含义？是不是说该器件电源接上 5V，其引脚输出或输入电平就是 5V TTL 或者 5v CMOS？

[答]：

1、 电阻电容的封装与元件的规格有关，简而言之，对于电阻，封装与阻值（容值）和功率有关，功率越大，封装尺寸越大；对于电容，封装与容值和耐压有关，容值和 耐压越高，封装尺寸越大。经验之谈，0603 封装的电容，容值最大为 225（2.2μF），10μF 的电容，应该没有 0805 的封装，而 3216，3528 的封装与耐压和材料有关，建议你根据具体元件参考相应的 Datasheet。

2、在芯片的引脚连线之间串入电阻，多见于信号传输上，电阻的作用是防止串扰，提高传输成功率，有时也用来作为防止浪涌电流。电阻值一般较小，低于 100 欧姆。

3、 藕合电容应尽可能靠近电源引脚。耦合电容在电源和地之间的有两个作用：一方面是蓄能电容，避免由于电流的突变而使电压下降，相当于滤纹波，故又称为去藕。 另一方面旁路掉该器件的高频噪声，故又称为旁路。数字电路中典型的去耦电容值是 0.1μF。这个电容的分布电感的典型值是 5μH。0.1μF 的去耦电容有 5μH 的分布电感，它的并行共振频率大约在 7MHz 左右，也就是说，对于 10MHz 以下的噪声有较好的去耦效果，对 40MHz 以上的噪声几乎不起作用。0.1μF、10μF 的电容并联使用，共振频率在 20MHz 以上，去除高频噪声的效果要好一些，较好的兼顾了去藕和旁路。经验上，每 10 片左右 IC 要加一片 1 个耦合电容，可选 1μF 左右。最好不用铝电解电容，电解电容是两层薄膜卷起来的，这种卷起来的结构在高频时表现为电感。要使用钽电容或聚碳酸酯电容。去耦电容的选用，可按 C="1"/F， 10MHz 取 0.1μF，100MHz 取 0.01μF。

4、泛泛地讲，5V TTL 器件和 5V CMOS 器件统称为 5V 器件，可以讲该器件电源接上 5V，其引脚输出或输入电平就是 5V TTL 或者 5V CMOS。但 TTL 和 CMOS 器件由于材料的不同，导致其驱动能力、功耗、上升时间、开关速度等参数迥异，分别适用不同的场合。

[问]：

1、 我是刚学习单片机系统设计的，感觉有很多地方都是按经验值来选择电阻电容的。比如，去藕电容一般是 0.1μF，上下拉电阻一般是 4.7K--10K，晶振起振电路电容好像一般为 22pF；还有，电阻的封装选择说是要按功率来说，可是怎么计算具体需要多大功率的电阻呢?我看很多设计中好像就是经验，大多使用 0805 或者 0603，电容好像也差不多，耐压电