一篇有关LNA设计的优秀硕士论文
微波低噪声放大器设计
引 言
近几十年来，微波器件的飞速发展，如双级晶体管（BJT）、结型场效应管（JFET）的发明，以及砷化钾肖特基势垒栅场效应管（GaAs MES FET）的研制成功。这些成功，使得微波固态电路随之也发生了飞速的进步。由于80年代初的先进工艺，使得级间线条尺寸缩小到了亚微米级，又一次大大提高了了工作频率。随后异质结双级晶体管（HBT），高电子迁移率晶体管（HEMT）,也相继研制成功。目前这些新的器件的工作频率已经进入了毫米波段，HEMT多用于微波低噪声放大器，现在国外已研制出毫米波单片集成电路，HBT的应用不仅可作微波功放、微波振荡器、微波开关，还可作分频器，模数变换、高速逻辑电路等，预测将来微波集成电路必然有着跟迅速的发展。
微波基本知识及课题背景
分米波 10-----1分米 特高频（UHF） 300-----3000 Hz
微波 厘米波 10-----1厘米 超高频（SHF） 3000-----30000Hz
毫米波 10-----1毫米 极高频（EHF） 30000-----300000Hz
（贴图）
其简单工作过程是：利用天线将从空中接受的微弱电磁波变为无调电流，经过可调谐的高频放大器选择出所需接收的信号，并同时放大信号。放大后的高频已调信号与本振振荡器的频率相混频，变为频率较低而且固定的中频已调信号，经过中频放大以后，又检波器检出原来的调制信号，在经低频放大器放大去推动终端设备。
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