0.8微米薄膜工艺模块
0.8微米薄膜工艺
LPCVD氮化硅模块
LPCVD氮化硅包括两种工艺：一次氮化硅和有源区氮化硅。
一次氮化硅用于自对准阱工艺的N阱局部氧化，在N阱扩散工艺时阻挡氧向P阱区域硅衬底扩散，抑制该区域氧化物的生长。
有源区氮化硅用于场隔离的局部氧化，在场氧工艺时阻挡氧向有源区硅衬底扩散，抑制该区域氧化物的生长。
LPCVD氮化硅采用ASM设备，以SiH2Cl2-NH3体系淀积，该方法淀积的氮化硅质量高，副产物少，膜厚均匀性好。其反应方程式为：
3SiH2Cl2+10NH3=Si3N4+6NH4Cl+6H2
反应温度为750-790℃，反应压力为350mTorr。
工艺要点：
炉管必须保持洁净。
炉温要有梯度以补偿工艺气体的消耗。
每炉装同样数量的硅片以保证重复性。
工艺规范：
氮化硅厚度：1500+/-150A
氮化硅折射率：2.00
颗粒：＜80个/片（＞0.3um）
LPCVD多晶模块
LPCVD多晶模块用于制作多晶栅。
LPCVD多晶采用ASM设备，以硅烷热解法淀积，该方法淀积的多晶硅均匀性好，含氧量低，表面不易起雾。其反应方程式为：
SiH4=Si+2H2
反应温度为620℃，反应压力为300mTorr。
工艺要点：
炉管必须保持洁净。
炉温要有梯度以补偿工艺气体的消耗。
每炉装同样数量的硅片以保证重复性。
工艺规范：
多晶硅厚度：3500+/-350A
颗粒：＜80个/片（＞0.3um）
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