电磁炉维修相关资料

　　在修理中常见的电磁炉大致分为两类：

　　由LM339（四电压比较器）输出脉冲信号。

　　1： 触发部分由正负两组电源，管子用PNP\NPN组成，类似这种电路，后级大多是用大功率管多个复合而成，组成高压开关部分，在代换中，前一个用带阻尼的行管替代即可。后几个则很难找到特性一致的管子，解决的办法是在散热器安装孔允许的情况下改用大电流的管子以减少数量，金属封装得如：BUS13A等，塑封的如：BU2525/BU2527/BU2532/D3998一类，用两个就可以。

　　2：功控管用IGBT绝缘栅开关器件；

　　这些机器特征是不用双电源触发，只有+5V和+12V,LM339通过触发集成块TA8316带动IGBT

　　这种情况下只能用此一类的管子代替，损坏程度大致为，只有管子坏，换上即可。其次是整流桥同时损坏，（一般是烧半壁），在其次是触发集成块TA8316坏，连带LM339N一起损坏的很少见。

　　对于高压模块，由于这方面的参数手册很少，希望大家搜集转贴，以便代换时参考。

　　不能贸然更换,最好有示波器先测其G极波形及幅值(没有的话用万用表测此点直流电压应在1-2.5伏之间变化).接上线盘前要确定其它几路小电源供电正常.

　　2.1.2 IGBT

　　绝缘栅双极晶体管(Iusulated Gate Bipolar Transistor)简称IGBT,是一种集BJT的大电流密度和MOSFET等电压激励场控型器件优点于一体的高压、高速大功率器件。

　　目前有用不同材料及工艺制作的IGBT, 但它们均可被看作是一个MOSFET输入跟随一个双极型晶体管放大的复合结构。

　　IGBT有三个电极(见上图), 分别称为栅极G(也叫控制极或门极) 、集电极C(亦称漏极) 及发射极E(也称源极) 。

　　从IGBT的下述特点中可看出, 它克服了功率MOSFET的一个致命缺陷, 就是于高压大电流工作时, 导通电阻大, 器件发热严重, 输出效率下降。

　　IGBT的特点:

　　1.电流密度大, 是MOSFET的数十倍。

　　2.输入阻抗高, 栅驱动功率极小, 驱动电路简单。

　　3.低导通电阻。在给定芯片尺寸和BVceo下, 其导通电阻Rce(on) 不大于MOSFET的Rds(on) 的10%。

　　4.击穿电压高, 安全工作区大, 在瞬态功率较高时不会受损坏。

　　5.开关速度快, 关断时间短,耐压1kV~1.8kV的约1.2us、600V级的约0.2us, 约为GTR的10%,接近于功率MOSFET, 开关频率直达100KHz, 开关损耗仅为GTR的30%。