电力电子技术习题答案
电力电子答案
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第二章 电力电子器件
2-1答： 电导调制效应是指PN 结处于正向导通状态下，当正向电流较小时，二极管的电阻主要是作为基片的低掺杂N 区的欧姆电阻，其阻值较高并且管压降随正向电流的上升而升高；当正向电流较大时，在N 区的少子孔穴浓度将很大，为了维持半导体电中性条件，势必多子电子的浓度也大幅增加。这导致了电阻率的下降，从而电压上升的增量不大。二极管的正向伏安特性曲线清楚地表明了电导调制效应的作用。
2-2 答： 使晶闸管导通的条件是：晶闸管处于正向偏置电压时，给门极施加足够功率的触发电压；当晶闸管处于导通状态时只要将导通的电流减小到小于维持电流，或者直接施加反向电压就可。
2-3 答： 1)
A t id I dVT
5025.02002120
= == π
ωπA t d I i VT 1005.020*********.02
2
21= = =
= ωπ
π
A I I VT
AV T 12757.1/20057
.12)(== =
2)
[]A t S C t id I dVT 7.108)4
cos
1(1
2000200
1
4
4
=+
=-=
=
π
π
ωπ
ωπ
ππ
ππ
A t d I i VT
8.13495.04.1414321414.120042)42sin(2Im 0
421
= =+=-+ == πππ
πππωπ
π
πA I I VT
AV T 7.17157.1/6.26957
.12)(== =
2-4 答：GTR 电流容量大，耐压值高。但需要的驱动功率大，热稳定性差，易产生二次击穿，通态压降较高；MOSFETS 静态驱动功率小，工作频率比较高，热稳定性优于GTR ，通态压降低。它还具有正的温度特性，使得MOSFET 管易于并联使用。但缺点是电流容量较小，耐压值较低。IGBT 结合了GTR 容量大和MOSFET 驱动功率小的优点，但工作频率要低于MOSFET 。
2-5 答：IGBT 对驱动电路的要求是驱动电压脉冲上升和下降沿要陡；有足够的驱动功率；关断时栅极可加一反向电压；某些应用场合驱动电路要和主电路隔离；带有保护功能；驱动电路到IGBT 模块的引线尽可能短。IGBT 过电流保护可以采用两种方法：检测集电极电压和检测发射极电流。前者保护动作快，并在一些现成驱动模块上如EXB840等集成了检测和保护电路。
