第23卷,总第133期　

2005年9月,第5期《节能技术》

ENERGYCONSERVATIONTECHNOLOGYVol.23,Sum.No.133

Sep.2005,No.5

照明用发光二极管封装技术关键

张东春,孙秋艳,郑继雨

(河北理工大学轻工学院,河北　唐山　063020)

摘　要:随着制造技术的不断进步,。本文

综述了照明用发光二极管封装技术,主要对散热、白光、,关键词:发光二极管;;中图分类号:A文章编号:1002-6339(2005)05-0430-02

ncapsulationTechnicalKeysofilluminationLED

ZHANGDong-chun,SUNQiu-yan,ZHENGJi-yu

(LightIndustryCollegeofHebeiPolytechnicUniversity,Tangshan063020,China)

Abstract:ItisainevitabletrendthatLEDismoreandmoreusedintheilluminationfieldastheprogressofmanufacturetechnology.EncapsulationtechnologyofilluminationLEDissummarizedinthepaper,includingkeytechnology,suchasemanatingheat,whitelight,test,filterandstaticprevention,etc.TheadvicethattechnologyofilluminationLEDshouldbedevelopedisputforwardinthepaper.Keywords:LED;illumination;luminousflux;encapsulation

　　半导体发光二极管(light-emittingdiode)简称

LED,从二十世纪60年代研制出来并逐步走向市场化,其封装技术也在不断改进和发展。由最早用玻璃管封装发展至支架式环氧封装和表面贴装式封装,使得小功率LED获得广泛的应用。从二十世纪90年代开始,由于LED外延、芯片技术上的突破,四元系Al2GaInP和GaN基的LED相继问世,实现了LED全色

1〕

化,发光亮度大大提高,并可组合各种颜色和白光〔。器件输入功率上有很大提高。目前单芯片1W大功率LED已产业化并推向市场,这使得超高亮度LED的应用面不断扩大,由特种照明的市场领域,逐步向普通照明市场迈进。由于LED芯片输入功率的不断提高,对其封装技术提出了更高的要求。

LED要在照明领域发展,关键要将其发光效率、光通量提高到现有照明光源的水平。大功率LED

收稿日期　2005-06-08　　修订稿日期　2005-06-14作者简介:张东春(1966～),男,讲师。

所用的外延材料采用MOCVD的外延生长技术和多

量子阱结构,虽然其外量子效率还需进一步提高,但获得高光通量的最大障碍是芯片的取光效率低。现有的大功率LED的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率,改善芯片的热特性,并通过增大芯片面积,加大工作电流来提高器件的光电转换效率,从而获得较高的光通量。除了芯片外,器件的封装技术也举足轻重。关键的封装技术工艺有:

1　散热技术

传统的指示灯型LED封装结构,一般是用导电或非导电胶将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上,由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成,其热阻高达250～300℃/W,新的大功率芯片若采用传统式的LED封装形式,将会因为散热不良而导致芯片结温迅速上升和环氧碳化变黄,从而造成器件的加速光衰直至失效,甚至因为迅速的热膨