MOSFET放大器设计仿真实验
微电子器件与电路实验数据记录

1

使用2N7002完成电路设计
已知参数:VTN 2.45V,Kn 100mA/V,LAMBDA 0.000267V
2
1
,
设计电路使

Q点的值IDQ 2mA,且Q点位于饱和区中心,具有较大的对称输出电压摆幅。 如果较多未知数未确定,可以考虑将Vo静态工作点设计于1V。
4.1预习部分:根据电路要求,初步设计出电路,写出设计过程:
R1
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