光电子激光技术

第一章

光辐射范围：0.01—1000um；包括：紫外辐射<可见光（0.38—0.78）<红外辐射

光辐射:以电磁波形式或粒子(光子)形式传播的能量,可用光学元件反射、成像或色散，这种能量及其传播过程

计量光辐射的俩套体系：1、辐射度单位体系；2、光照度单位体系

光通量单位：lm(流明) 发光强度单位：cd(坎德拉)---光度学基本单位

光照度单位：lx(勒克斯)=lm/m2辐射照度单位：W/m2

光与原子作用的三种跃迁:1、受激吸收（低能态受光照）；2、自发辐射（高能态不稳定）

3、受激辐射（高能态在自发辐射前受外来光子影响）

激光产生的条件：1、粒子数反转（前提）外界输入能量的过程“泵浦”

2、光学谐振腔（必要）

3、阈值条件（决定性）当光在腔内来回一次，增益大于损耗才产生激光激光的三能级系统：

激光的优越性：“一高三好“-高亮度、好方向性、好单色性、好的时间空间相干性

YAG激光器：基质晶体Y3Al5O12热物理性能好，使激光器既连续工作又可高效率脉冲工作。LD：激光二极管或半导体激光器

LD能带的产生:共有化运动使得本来处于同一能量的电子发生了能量的微小差异，其势能具有晶格的周期性，因此晶体的能谱在原子能级的基础上分裂成能带

价带：行程共价键的价电子所占据的能带

导带：自由电子占据的能带（价带上面邻近能带）

禁带：价带顶到导带底之间的能带，不允许电子占据

I型—本征半导体P型---五价原子（磷锑砷）N型---三价原子（硼）